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J-GLOBAL ID：202202211264587187   整理番号：22A0388695

マイクロメータスケールにおける高性能ノーマリーオフリセストリゲートGaN MIS-FET【JST・京大機械翻訳】

High-performance normally-off recessed tri-gate GaN MIS-FETs in micrometer scale

著者 (4件)： Tsai Chia-Jung (Department of Electrical Engineering, National Central University, Taoyuan City 32001, Taiwan) ,  You Xin-Rong (Department of Electrical Engineering, National Central University, Taoyuan City 32001, Taiwan) ,  Tsai Meng-Hsuan (Department of Electrical Engineering, National Central University, Taoyuan City 32001, Taiwan) ,  Hsin Yue-Ming (Department of Electrical Engineering, National Central University, Taoyuan City 32001, Taiwan)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 37  号： 1  ページ： 015002 (7pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,トリゲートと凹んだMISゲートの組み合わせに基づく通常オフAlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ(MIS-FET)を作製し,特性化した。凹んだトリゲートMIS-FETは,マイクロレベルトレンチによって製造して,フィン形チャネルを定義して,ゲート制御能力を改良した。原子層堆積による20nmのAl_2O_3堆積前に,希薄緩衝酸化物エッチング,HCl溶液,およびテトラメチルアンモニウムヒドロキシド処理によって,凹面を洗浄した。堆積後,堆積後アニーリングを行った。必要なトリゲートMIS-FETは,3.1Vの高い閾値電圧,1121mA mm-1の高いドレイン電流,および2×108のオン/オフ電流比を示した。12.7Ωmmの凹面MIS-FETと比較して5.4Ωmmのより小さなオン抵抗を達成した。さらに,デバイスは低いI-Vヒステリシスを示した。すべての実験結果は,マイクロレベルトレンチが,GaN高電子移動度トランジスタの通常オフ動作を追求する有望な技術をサポートする,リセストリゲート構造の利点を実現することを確認した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エッチング ,  焼なまし ,  電流 ,  半導体 ,  フィン ,  酸化物 ,  塩酸 ,  *窒化ガリウム ,  HEMT ,  オン抵抗 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  ドレイン電流 ,  AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： テトラメチルアンモニウムヒドロキシド

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  MIS ,  FET