Bi_0.85Sb_0.15トポロジカル単結晶における表面状態に誘起された弱い反局在効果【JST・京大機械翻訳】

Kumar Yogesh; Awana VPS

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202211347530501 整理番号：22P0344025

Bi_0.85Sb_0.15トポロジカル単結晶における表面状態に誘起された弱い反局在効果【JST・京大機械翻訳】

Surface states induced weak anti-localization effect in Bi0.85Sb0.15 topological single crystal

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで

この文献はプレプリントです。プレプリントについてはこちらをご確認ください。

著者 (2件)： ,
資料名：
発行年： 2022年05月04日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年05月04日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

Bi_0.85Sb_0.15単結晶における表面状態(SS)駆動磁気輸送の実験的証拠を報告した。研究したBi_0.85Sb_0.15単結晶について,詳細な高磁場(12Tまで)と低温(2Kまで)の磁気輸送測定を行った。相,組成及びRamanモードをX線回折,エネルギー分散X線及びRaman分光法により研究した。得られた結晶は,2Kと12Tで非飽和磁気抵抗(4250%)を示し,約ゼロ磁場で弱い反局在化(WAL)効果が存在する。さらに,Hikami-Larkin-Nagaoka(HLN)分析を行い,WAL効果を分析した。前因子および位相コヒーレンス長を種々の温度で推定し,研究したBi_0.85Sb_0.15単結晶における1つ以上の伝導チャネルの存在を意味する。SS駆動HLN方程式に対する種々の磁場依存性二次,線形および一定項を加えることによって,表面状態および欠陥の下の量子散乱,バルク寄与の影響を研究した。相コヒーレンス長の温度依存性を解析することにより,種々の可能な散乱機構を研究した。調べたBi_0.85Sb_0.15単結晶の角度依存磁気伝導率は,この結晶における表面状態支配輸送を明確に確認した。【JST・京大機械翻訳】

, , , , , , , , , , , ,
, , , , , 【Automatic Indexing@JST】

その他の無機化合物の磁性 , その他の無機化合物の電気伝導 , 半導体結晶の電気伝導 , 表面の電子構造

, ,

前のページに戻る