高周波圧縮性を用いたトポロジカルHgTeヘテロ接合におけるVolkov-Pankratov状態の観測【JST・京大機械翻訳】

Inhofer A.; Tchoumakov S.; Assaf B. A.; Feve G.; Berroir J. M.; Jouffrey V.; Carpentier D.; Goerbig M.; Placais B.; Bendias K.; Mahler D. M.; Bocquillon E.; Schlereth R.; Bruene C.; Buhmann H.; Molenkamp L. W.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202211496749630 整理番号：22P0040508

高周波圧縮性を用いたトポロジカルHgTeヘテロ接合におけるVolkov-Pankratov状態の観測【JST・京大機械翻訳】

Observation of Volkov-Pankratov states in topological HgTe heterojunctions using high-frequency compressibility

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発行年： 2017年04月13日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年03月17日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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トポロジカル絶縁体はバルクのバンド反転の結果としてDiracフェルミオン表面状態を維持する。これらの状態は螺旋スピン分極と大きなFermi速度の線形分散を持つ。本論文では,大量の表面状態の存在を示す一連の実験観察について報告する。これらの状態は界面に閉じ込められ,高エネルギーおよび/または高電場で平衡および輸送特性を支配する。HgTeトポロジー絶縁体電界効果キャパシタのACアドミタンスを監視することにより,広い範囲のエネルギーと電場で表面状態の圧縮性と伝導率をアクセスした。Dirac表面状態は圧縮性最小値,線形エネルギー依存性,及びバルクの輸送バンドギャップよりはるかに大きいエネルギーまで持続する高い移動度によって特性化される。コンダクタンスピーク,圧縮性バンプ,強い電荷準安定性,Hall抵抗異常などの特徴を持つ高エネルギーで新しい特徴を明らかにした。これらの特徴は,Dirac状態による強いサブバンド間散乱と準安定バルクキャリアの核形成の原因となる励起された塊状表面状態の存在を指摘する。励起状態のスペクトルは,トポロジー自明な半導体界面の現象論的モデルの予測と一致した。モデルは有限界面深さと電場の影響を説明する。励起トポロジー状態の存在はトポロジー相の理解に不可欠であり,量子技術におけるトポロジー資源を工学および利用するための経路を開く。【JST・京大機械翻訳】

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絶縁体結晶の電子構造 , 表面の電子構造

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