ナノ構造金抵抗スイッチング膜における抵抗の異常な電気伝導と負の温度係数【JST・京大機械翻訳】

Mirigliano M.; Radice S.; Falqui A.; Casu A.; Cavaliere F.; Milani P.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202211521586465 整理番号：22P0147453

ナノ構造金抵抗スイッチング膜における抵抗の異常な電気伝導と負の温度係数【JST・京大機械翻訳】

Anomalous Electrical Conduction and Negative Temperature Coefficient of Resistance in Nanostructured Gold Resistive Switching Films

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発行年： 2020年05月15日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年05月15日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

非金属電気伝導,抵抗スイッチング,および電気的パーコレーションより上のクラスタ集合ナノ構造金膜における抵抗の負の温度係数,および室温から極低温(24K)までの強結合領域への抵抗の負の温度係数について報告する。膜の構造は,結晶粒界によって分離されたランダム配向結晶ナノドメインの極めて高い密度によって特徴付けられた。観測した挙動は空間電荷制限伝導とCoulomb遮断現象を考慮することにより説明でき,伝導電子の局在化に及ぼす高密度欠陥と結晶粒界の影響を強調した。著者らの知見は,ナノ物体のランダムアセンブリに基づく広範囲の抵抗スイッチングシステムに対する含意を持つ。【JST・京大機械翻訳】

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, , , , , 【Automatic Indexing@JST】

金属-絶縁体-金属構造 , 半導体-金属接触

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