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J-GLOBAL ID：202202211578905177   整理番号：22A0808684

格子整合四元量子障壁を有する非極性紫外発光ダイオードの性能向上【JST・京大機械翻訳】

Enhanced Performance of the Non-Polar Ultraviolet Light-Emitting Diodes with Lattice-Matched Quaternary Quantum Barriers

著者 (4件)： Dai Qian (Jinling Institute of Technology, School of Network and Communication Engineering Nanjing China Jiangsu) ,  Zhang Xiong (Southeast University, Advanced Photonics Center, School of Electronic Science and Engineering Nanjing China Jiangsu) ,  Wu Zi Li (Southeast University, Advanced Photonics Center, School of Electronic Science and Engineering Nanjing China Jiangsu) ,  Zeng Xiang Hua (Yangzhou University, College of Physics Science and Technology Yangzhou China)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 907  ページ： 3-9  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： [1~100]m方向に沿って完全に格子整合したAlInGaN量子障壁を有する非極性AlGaNベース紫外発光ダイオード(LED)の性能を最初に提案し,集中的に研究した。シミュレーション結果は,非極性AlGaNベースLEDの内部量子効率(IQE)が,AlInGaN障壁の導入で350mAの注入電流で9.7%増強できることを示した。従来のAlGaN量子障壁を有する非極性AlGaNベースLEDと比較して,四元障壁を有する非極性AlGaNベースLEDのShockley-Read-Hall再結合速度は著しく減少したが,放射再結合速度も著しく改善された。AlGaN/AlInGaN MQWsにおける面内歪の減少により,活性領域における転位の密度が減少するという結果として,AlInGaN障壁を有する非極性AlGaNベースLEDに対する性能の向上を解釈した。Copyright 2022 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  電流 ,  活性部位 ,  *非極性 ,  量子効率 ,  *格子整合
準シソーラス用語： 再結合速度 ,  窒化アルミニウムガリウム ,  内部量子効率 ,  面内歪 ,  *UV-LED ,  放射再結合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 内部量子効率 ,  AlInGaN四元障壁 ,  格子整合 ,  非極性AlGaN系UV-LED

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 格子整合 ,  量子 ,  障壁 ,  非極性 ,  紫外発光ダイオード ,  性能向上