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J-GLOBAL ID：202202211580948831   整理番号：22A0492408

GaNとAlGaN上の湿式ベースディジタルエッチング【JST・京大機械翻訳】

Wet-based digital etching on GaN and AlGaN

著者 (5件)： Shih Pao-Chuan (Microsystem Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  Engel Zachary (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332, USA) ,  Ahmad Habib (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332, USA) ,  Doolittle William Alan (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332, USA) ,  Palacios Tomas (Microsystem Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 2  ページ： 022101-022101-5  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロLED,垂直FinFET,および電界エミッタのような多くの先進III窒化物デバイスは,高アスペクト比の垂直柱またはナノワイヤの作製を必要とする。ドライエッチングとウェットエッチングステップを組み合わせた二段階エッチングを,過去に垂直デバイスに用いたが,それらは,サブ50nmの直径を有する垂直ナノ構造で貧弱な制御を示した。本研究では,GaNとAlGaN上の湿式化学ディジタルエッチングを示し,c軸に沿って垂直ナノ構造スケーリングと平面エッチングの両方に適用した。このデジタルエッチングプロセスにおいて,H_2SO_4とH_2O_2の混合物をIII窒化物表面を酸化するために適用し,次に,酸化層を希薄HClによって除去した。このディジタルエッチング法は,垂直構造を細かく鋭くし,真空またはプラズマシステムを必要とせず,将来の先進デバイス構造を可能にする。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エッチング ,  プラズマ ,  窒化物 ,  塩酸 ,  素子構造 ,  ディジタル方式 ,  *窒化ガリウム ,  ドライエッチング ,  ナノ構造 ,  ナノワイヤ ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： 電界エミッタ ,  FinFET ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  高アスペクト比 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： GaN ,  AlGaN