時空間マイクロ波イメージングによる単層半導体における欠陥媒介キャリア動力学の解明【JST・京大機械翻訳】

Chu Zhaodong; Wang Chun-Yuan; Quan Jiamin; Zhang Chenhui; Lei Chao; Han Ali; Ma Xuejian; Tang Hao-Ling; Abeysinghe Dishan; Staab Matthew; Zhang Xixiang; MacDonald Allan H.; Tung Vincent; Li Xiaoqin; Shih Chih-Kang; Lai Keji

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202211611338487 整理番号：22P0119045

時空間マイクロ波イメージングによる単層半導体における欠陥媒介キャリア動力学の解明【JST・京大機械翻訳】

Unveiling Defect-Mediated Carrier Dynamics in Monolayer Semiconductors by Spatiotemporal Microwave Imaging

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発行年： 2020年03月03日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年03月03日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

原子的に薄い遷移金属ジカルコゲン化物のオプトエレクトロニック特性は,材料中の欠陥の存在と強く相関し,これは必ずしも特定の応用に対して有害ではない。例えば,欠陥は,空間領域における時間領域とキャリア輸送における電荷発生と再結合を含む複雑なプロセス,増強された光伝導をもたらす。ここでは,レーザ照射マイクロ波インピーダンス顕微鏡による2種類のWS_2単分子層の同時空間および時間光伝導イメージングを報告する。拡散長とキャリア寿命をマイクロ波信号の空間プロファイルと時間緩和からそれぞれ直接抽出した。時間分解実験は,光励起キャリアの臨界過程がトラップ状態から正孔の脱出であり,伝導バンド中の移動電子の見かけの寿命を長引かせることを示した。結果として,光伝導は,より低い欠陥密度を有する剥離単層よりCVD試料で強かった。本研究は,van der Waals材料における光励起に対する電気的応答の固有時間と長さスケールを明らかにし,それは新しいオプトエレクトロニクスデバイスへの応用に不可欠である。【JST・京大機械翻訳】

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半導体結晶の電気伝導

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