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J-GLOBAL ID：202202211635547688   整理番号：22A0796088

光触媒水素発生を増強するための白金ナノドット修飾窒素空格子点g-C_3N_4Schottky接合【JST・京大機械翻訳】

Platinum nanodots modified Nitrogen-vacancies g-C₃N₄ Schottky junction for enhancing photocatalytic hydrogen evolution

著者 (6件)： Huang Kelei (Key Laboratory of Marine Chemistry Theory and Technology, Ministry of Education, College of Chemistry and Chemical Engineering, Ocean University of China, Qingdao 266100, China) ,  Li Chunhu (Key Laboratory of Marine Chemistry Theory and Technology, Ministry of Education, College of Chemistry and Chemical Engineering, Ocean University of China, Qingdao 266100, China) ,  Yang Jie (Key Laboratory of Marine Chemistry Theory and Technology, Ministry of Education, College of Chemistry and Chemical Engineering, Ocean University of China, Qingdao 266100, China) ,  Zheng Rui (Key Laboratory of Marine Chemistry Theory and Technology, Ministry of Education, College of Chemistry and Chemical Engineering, Ocean University of China, Qingdao 266100, China) ,  Wang Wentai (Key Laboratory of Marine Chemistry Theory and Technology, Ministry of Education, College of Chemistry and Chemical Engineering, Ocean University of China, Qingdao 266100, China) ,  Wang Liang (Key Laboratory of Marine Chemistry Theory and Technology, Ministry of Education, College of Chemistry and Chemical Engineering, Ocean University of China, Qingdao 266100, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 581  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光触媒水素発生は,環境およびエネルギー不足問題を解決する可能性のため,大きな注目を集めている。ここでは,Ptナノドットと窒素空孔共修飾g-C_3N_4(NVCN@Pt)Schottky接合光触媒を,メラミンと光還元堆積法のKOH支援熱重合により合成した。キャラクタリゼーションと計算結果は,窒素空孔の形成が光吸収,狭いバンドギャップ,促進電荷分離,および仕事関数の減少を実証した。さらに,窒素空孔は,g-C_3N_4上に緊密に接触し,均一に固定された小さなPtナノドットをもたらし,そして,高度に分散したPtナノドットは,ショットキー接合を介して光生成電荷の移動と分離をさらに加速し,H_2発生のための活性部位の豊富さを提供した。最適化した0.15-NVCN@Pt複合材料は,Ptナノドット修飾(BCN@Pt,26.8μmol/h)を有する元のバルクg-C_3N_4よりも3.71倍の光触媒H_2発生性能(99.4μmol/h)を示した。0.15-NVCN@Ptの420nmでの見かけの量子効率は8.6%に達した。これらの結果は,Ptナノドット修飾g-C_3N_4を導入する窒素空孔が光触媒H_2発生を高めるための効果的な方法であることを実証した。本研究は,高活性半導体系光触媒を構築するための担体と金属間の相互作用に関する洞察を提供することが期待される。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  仕事関数 ,  電荷 ,  半導体 ,  光吸収 ,  *窒素 ,  *白金 ,  活性部位 ,  キャリア ,  *光触媒 ,  *ナノ構造 ,  電荷分離 ,  バンドギャップ ,  窒素複素環化合物
準シソーラス用語： *ナノドット ,  *水素発生 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 光触媒H_2発生g-C_3N_4 ,  窒素空孔 ,  Ptナノドット

分類 (2件)： 光化学反応  (CB08020F) ,  気体燃料の製造  (YE02030F)

物質索引 (1件)： メラミン

タイトルに関連する用語 (7件)： 光触媒 ,  水素発生 ,  増強 ,  白金 ,  ナノドット ,  修飾 ,  窒素空格子点