HfO_2のElectronビーム誘起官能化による部位特異的調節メモリスタ【JST・京大機械翻訳】

Kumar Mohit; Kumar Mohit; Ahn Yeong Hwan; Iqbal Shahid; Kim Unjeong; Seo Hyungtak; Seo Hyungtak

文献

J-GLOBAL ID：202202211971597337 整理番号：22A0829740

HfO_2のElectronビーム誘起官能化による部位特異的調節メモリスタ【JST・京大機械翻訳】

Site-Specific Regulated Memristors via Electron-Beam-Induced Functionalization of HfO₂

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資料名：
巻： 18 号： 8 ページ： e2105585 発行年： 2022年
JST資料番号： W2348A ISSN： 1613-6810 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

メムリスタとしても知られる不揮発性抵抗スイッチングは,電荷を貯蔵するよりも,活性材料の組成の変化に主に依存する明確な概念で働いている。特に,酸化物ベースのメムリスタでは,スイッチングは酸素欠陥のランダムで予測されない時間的/空間的移動によってしばしば支配され,伝導チャネル形成とヒステリシスループ開口を制御することができない制御に関して制限をもたらす。したがって,活物質中の欠陥濃度の部位特異的動的制御は記憶貯蔵と人工知能能力のオンデマンド制御を実現するためのユニークな機会を提供する。ここでは,電子ビーム照射を用いた酸素欠陥の操作による伝導チャネルの安定化により,高性能,部位特異的空間スケーラブルメムリスタデバイスを作製した。特に,メムリスタは,104より高い調整可能なスイッチング比を有する,非常に安定で電子ビームの線量調節マルチレベルアナログヒステリシスループ開口を示した。さらに,短期および長期塑性,対パルス促進,スパイク刺激依存塑性,および動的マルチパターン記憶処理を含む神経活動の幅広い変調を示した。本研究は,抵抗スイッチング挙動を制御し,神経活動の模倣を制御する新しい可能性を開くものであり,二端子酸化物ベースのメムリスタにおいて,今までに見えないチューナビリティを提供する。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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半導体集積回路

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