液体金属ガリウム表面閉込め窒化反応による極薄準2D GaN半導体の室温印刷【JST・京大機械翻訳】

Li Qian; Du Bang-Deng; Gao Jian-Ye; Xing Bao-Yu; Wang Dian-Kai; Ye Ji-Fei; Liu Jing

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202212049258749 整理番号：22P0331990

液体金属ガリウム表面閉込め窒化反応による極薄準2D GaN半導体の室温印刷【JST・京大機械翻訳】

Room-temperature printing of ultrathin Quasi-2D GaN semiconductor via liquid metal gallium surface confined nitridation reaction

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発行年： 2022年04月13日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年04月13日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

窒化ガリウム(GaN)のような広バンドギャップ半導体材料は,パワーエレクトロニクス,高周波増幅器,および過酷な環境デバイスで広く利用されてきた。望ましい深紫外発光,励起子衝撃,および電子輸送特性を可能にするその量子閉じ込め効果のため,二次元(2D)または超薄準2D GaN半導体は,マイクロエレクトロニクスデバイスの将来の成長のための最も顕著な候補の1つである。ここでは,初めて,プラズマ薬剤化液体金属ガリウム表面閉じ込め窒化反応メカニズムの導入により,大面積,広いバンドギャップおよび室温準2D GaN合成および印刷戦略を報告した。開発した直接製造と組成プロセスは,種々のエレクトロニクス製造手法と一致し,第三世代半導体の費用対効果の高い成長のための容易な道筋を開く。特に,GaNに依存する完全印刷電界効果トランジスタは,105以上のオン/オフ比,53cm ̄2/(V ̄*s)の最大電界効果正孔移動度,および小さなサブ閾値スイングを有するp型スイッチングを示した。示されたように,この方法は室温で1nmからナノメータまでの厚さでGaNを製造できる。この基本的方法は,さらに拡張され,一般化され,そして,様々な電子および光電子デバイスを来る時間において作成するために利用される。【JST・京大機械翻訳】

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固体デバイス材料

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