高勾配炭化ケイ素浸漬レンズ超高速Electron源【JST・京大機械翻訳】

Leedle Kenneth J.; Niedermayer Uwe; Skaer Eric; Urbanek Karel; Miao Yu; Broaddus Payton; Solgaard Olav; Byer Robert L.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202212067753102 整理番号：22P0279743

高勾配炭化ケイ素浸漬レンズ超高速Electron源【JST・京大機械翻訳】

High Gradient Silicon Carbide Immersion Lens Ultrafast Electron Sources

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発行年： 2022年01月25日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年01月25日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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炭化ケイ素電極とシリコンナノチップエミッタを用いて,レーザパルス当たり10sの電子で1.9×10 ̄12A/m ̄2Sr ̄2までの高いピーク輝度を提供する集積集束による2つのコンパクトな超高速電子インジェクタ設計を示した。19kV/mm平均加速勾配を有する数センチメートルスケール96keVの浸漬レンズ電子源と57keVの浸漬レンズ電子源を実証し,DC電子源で使われる典型的な10kV/mmのほぼ2倍である。電子源の輝度は,空間電荷効果を含むスタートツーエンドシミュレーションと共に測定した。これらの源は,誘電体レーザ加速器実験,超高速電子回折,およびコンパクトな高輝度電子源を必要とする他の応用に適している。【JST・京大機械翻訳】

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, , , , 【Automatic Indexing@JST】

電子源,イオン源 , 電子回折法 , 電子ビーム,イオンビーム

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