量子位相二次元材料【JST・京大機械翻訳】

Di Giulio Valerio; Goncalves P. A. D.; de Abajo F. Javier Garcia

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202212110541637 整理番号：22P0278504

量子位相二次元材料【JST・京大機械翻訳】

Quantum-phase two-dimensional materials

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発行年： 2022年01月23日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年01月23日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

電子バンド構造の改変とその後の電気的,光学的および熱的材料特性の調整は,固体系の工学および基本的理解における中心テーマである。このシナリオにおいて,原子的に薄い材料は,それらが電気的および磁気ゲート化に非常に影響を受けやすく,積層構成における層間ハイブリダイゼーションと同様に,それらの応答関数をカスタマイズし,能動的に調整する手段を提供するため,魅力的なプラットフォームを提供する。ここでは,電気的に中性の構造がその近傍に置かれるとき,二次元材料経験における電子が,自己相互作用に依存する材料工学に根本的に異なるアプローチを導入した。厳密な理論的方法を採用して,半導体原子単分子層中の電子が,導電性リボンの隣接周期アレイの存在により誘起された画像電位から生じる量子相を獲得し,それは,単分子層の光学的,電気的,熱的特性において,特に,バンド間光吸収,プラズモンハイブリダイゼーション,および金属-絶縁体遷移の発生を生じさせる,という強い修飾を生じることを示した。その基本的興味を超えて,非接触隣接構造により誘起された量子相に基づく材料工学は,ナノデバイスへの応用のための原子層の特性を調整するための破壊的アプローチである。【JST・京大機械翻訳】

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炭素とその化合物 , 半導体薄膜 , 分子化合物 , 固体デバイス一般

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