AlO_x/SrTiO_3界面デバイスにおけるゼロ磁場横抵抗の観測【JST・京大機械翻訳】

Krantz P. W.; Chandrasekhar V.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202212111624935 整理番号：21P0059740

AlO_x/SrTiO_3界面デバイスにおけるゼロ磁場横抵抗の観測【JST・京大機械翻訳】

Observation of zero-field transverse resistance in AlO$_x$/SrTiO$_3$ interface devices

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発行年： 2020年11月07日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年11月07日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

低温でのAlO_x/SrTiO_3(ALO/STO)界面素子のドメイン壁は,STO系ヘテロ構造の表面または界面に形成された二次元キャリアガスの電気的輸送において,ゼロ外部磁場のHall棒で観察された有限横抵抗の,新しいシグネチャーを生じさせる。この横方向抵抗は局所領域壁配置に依存し,従って温度,ゲート電圧,熱サイクル,および試料に沿った位置によって変化し,これらのパラメータの関数として符号を変えることができる。横方向抵抗は≒70K以下で観察されたが,約40K以下では大きく変化し,その温度では分域壁が次第に極性になった。驚くべきことに,横方向抵抗は(001)配向ヘテロ構造と比較して(111)配向ヘテロ構造においてはるかに大きい。STOの誘電率を反映する導電性界面と基板に適用した電極間の静電容量の測定は,この差が電場を[111]方向に印加すると電場による温度依存誘電定数の大きな変化に関連することを示した。有限横抵抗を,注入電流の名目方向と共線でないドメイン壁に沿った電流の優先的輸送により,不均一電流流を説明できた。【JST・京大機械翻訳】

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その他の無機化合物の電気伝導 , 酸化物薄膜

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