Ce_3Pd_3Bi_4における圧力誘起随伴トポロジカルおよび金属-絶縁体量子相転移【JST・京大機械翻訳】

Xu Chenchao; Cao Chao; Zhu Jian-Xin

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202212125462547 整理番号：22P0285904

Ce_3Pd_3Bi_4における圧力誘起随伴トポロジカルおよび金属-絶縁体量子相転移【JST・京大機械翻訳】

Pressure-induced concomitant topological and metal-insulator quantum phase transitions in Ce$_3$Pd$_3$Bi$_4$

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発行年： 2022年02月07日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年02月07日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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Ce_3Pd_3Bi_4の電子的特性と磁化率を,密度汎関数理論と結合した動的平均場理論を使用して,セル体積の種々の値に対して18Kから290Kまで系統的に調査した。ゼロ温度への外挿により,常圧でのCe_3Pd_3Bi_4の基底状態は,不十分なハイブリダイゼーションにより,相関半金属であることが分かった。圧力を印加すると,ハイブリダイゼーション強度が増加し,Kondo絶縁体への交差が有限温度で観察された。特徴的な温度シグナル伝達は,Kondo一重項の形成,ならびにf-電子非局在化-局在化変化に関連した特性温度も,0.992V_0の臨界体積付近で同時に消失し,このような金属-絶縁体転移が量子臨界点と関連する可能性があることを示唆した。最後に,Wilsonのループ計算は,Kondo絶縁側がトポロジー的に自明であり,従って,トポロジー転移も量子臨界点を横切って起こることを示した。【JST・京大機械翻訳】

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金属-絶縁体転移

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