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J-GLOBAL ID：202202212184682895   整理番号：22A0931598

二波長ラマン散乱分光を用いたInGaN/GaNヘテロ構造におけるフォノン輸送解析

Analyses of phonon transport in InGaN/GaN heterostructures by Raman scattering spectroscopy using double lasers

著者 (7件)： 石谷善博 (千葉大学大学院電気電子工学コース) ,  中山朋哉 (千葉大学大学院電気電子工学コース) ,  伊藤航太郎 (千葉大学大学院電気電子工学コース) ,  Ma Bei (千葉大学大学院電気電子工学コース) ,  飯田大輔 (KAUST(カウスト),CEMSE部門) ,  Najmi Mohammed A. (KAUST(カウスト),CEMSE部門) ,  大川和宏 (KAUST(カウスト),CEMSE部門)
資料名： 日本結晶成長学会誌(CD-ROM)  (Journal of the Japanese Association for Crystal Growth (CD-ROM))
巻： 48  号： 4  ページ： ROMBUNNO.48-4-04(J-STAGE)  発行年： 2022年 
JST資料番号： F0452C  ISSN： 2188-7268  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 発光ダイオードとトランジスタの活性領域では,熱エネルギーまたは非熱平衡フォノンの生成により,それらの機能特性が劣化する。ダブルレーザー照射システムを用いた顕微Ramanイメージングにより研究した,欠陥のあるIn_xGa_1-xN(~100nm)/GaNヘテロ界面のフォノン輸送特性を示した。2つのレーザーを同時に照射することにより,レーザー誘起フォノン発生位置からRaman散乱検出位置までの横方向および界面垂直方向におけるサイト選択的な結晶加熱とフォノンの輸送を検出することができる。レーザー加熱によるE₂(high)モードのStokes信号のピークエネルギーの減少の2次元画像から,x=0.16の試料では格子不整転位,x=0.05の試料では貫通転位の近傍でフォノン輸送の局所ブロッキングを直接観測した。後者の試料では,拡散輸送を示す20μm以上の横方向輸送が観察された。ヘテロ界面下の非拡散的あるいは弾道的フォノン輸送が,GaN下地層のE₂(high)モードエネルギーの画像におけるInGaN層の欠陥配置を示す画像から予想される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  Raman散乱 ,  素子構造 ,  ヘテロ接合 ,  *顕微Raman分光法 ,  画像処理 ,  輸送現象 ,  *フォノン ,  貫通転位 ,  固体素子 ,  光ルミネセンス ,  化合物半導体 ,  界面
準シソーラス用語： *GaN ,  *InGaN ,  Ramanイメージング ,  フォトルミネセンス ,  フォノン輸送 ,  ワイドギャップ半導体 ,  ヘテロ構造 ,  発光デバイス

分類 (2件)： 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z)

引用文献 (46件)：

• 1) I. Jabbari, M. Baira, H. Maaref, and R. Mghaieth: Physica E 104 (2018) 216.
• 2) C. Gaquière, H. Maaref: J. Phys. Chem. Sol. 132 (2019) 157.
• 3) M. S. Ferdous, X. Wang, M. N. Fairchild, and S. D. Hersee: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 231107.
• 4) K. Okamoto, Y. Kawakami, Sg. Fujita, and M. Terazima: Anal. Sci. 17 (2001) s312.
• 5) Y. Shinozuka: Electron-lattice interactions in semiconductors, Jenny Stanford Publishing Ltd., 2021, Singapore.

タイトルに関連する用語 (8件)： 波長 ,  ラマン散乱 ,  分光 ,  InGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  フォノン輸送 ,  解析