六方晶窒化ホウ素に担持されたグラフェン電界効果トランジスタのスケーリング:制限因子としての高周波安定性【JST・京大機械翻訳】

Feijoo Pedro C.; Pasadas Francisco; Iglesias Jose M.; Martin Maria J.; Rengel Raul; Li Changfeng; Kim Wonjae; Riikonen Juha; Lipsanen Harri; Jimenez David

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202212229288387 整理番号：22P0040653

六方晶窒化ホウ素に担持されたグラフェン電界効果トランジスタのスケーリング:制限因子としての高周波安定性【JST・京大機械翻訳】

Scaling of graphene field-effect transistors supported on hexagonal boron nitride: radio-frequency stability as a limiting factor

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発行年： 2017年04月28日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2017年10月04日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

ナノデバイス中のグラフェンの品質は,支持層としての六方晶窒化ホウ素の利用により大きく増加した。本論文では,チャネル長スケーリングと共にhBNが,競合無線周波数(RF)性能を得るために,グラフェン電界効果トランジスタ(GFET)でどのように利用できるかを研究した。キャリア移動度と飽和速度を,関連する散乱機構(固有フォノン,不純物と欠陥による散乱など)を説明するアンサンブルモンテカルロシミュレータから得た。この情報を自己整合シミュレータに供給し,短チャネル効果を完全に考慮するために,二次元Poisson方程式と結合したドリフト拡散方程式を解いた。シミュレートしたGFET特性を,作製したデバイスの実験データに対してベンチマークした。著者らのシミュレーションは,スケーラビリティがRF性能をもたらすと想定され,しかしながら,不安定性によって非常に制限される。より低い性能の可能性にもかかわらず,バイアス点の注意深い選択は不安定性を避けることができる。それにもかかわらず,最大振動周波数は数百ナノメートルのチャネル長のTHz領域でまだ達成可能である。【JST・京大機械翻訳】

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トランジスタ

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