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J-GLOBAL ID：202202212243786849   整理番号：22A0847690

ESDロバスト性を強化するための移動電流フィラメントに対するHV-LDMOSデバイス工学洞察【JST・京大機械翻訳】

HV-LDMOS Device Engineering Insights for Moving Current Filament to Enhance ESD Robustness

著者 (3件)： Kranthi N. K. (Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bengaluru, India) ,  Boselli Gianluca (Analog Technology Development, Texas Instruments, Dallas, TX, USA) ,  Shrivastava Mayank (Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bengaluru, India)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69  号： 3  ページ： 1242-1250  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,高電圧横方向二重拡散MOS(LDMOS)デバイスの静電放電(ESD)ロバスト性を改善するための新しい設計手法を,詳細な3D TCADシミュレーションを用いて提示した。提案方法は,LDMOS設計における静的フィラメントと動的/移動電流フィラメントの両方を設計する。高応力電流レベルでの移動フィラメントの物理的洞察と工学的アプローチを示した。動的フィラメント運動とそのn-p-nターンオン工学との最適pウェルプロファイルと基板バイアスとの関係を明らかにした。スナップバック近くのLDMOSにおけるユニークな窓故障を初めて議論した。最適ドレイン拡散長(DL)と静的フィラメント誘起窓破壊に及ぼすその影響を用いて,フィラメント幅工学の詳細な解析を示した。この手法は,自己保護概念に対するESDロバスト性の10倍の改善をもたらした。最後に,フィラメント運動の起源に関連する異なる基本的な疑問を,工学的LDMOS設計の助けを借りて,三次元TCADを用いて探索した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  設計 ,  *電流 ,  CAD【計算機】 ,  故障 ,  *MOSFET ,  保護 ,  拡散距離 ,  *フィラメント ,  三次元 ,  *ロバスト性 ,  ターンオン
準シソーラス用語： *LDMOS ,  スナップバック ,  基板バイアス ,  TCAD ,  静電気放電 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： ESD ,  ロバスト性 ,  強化 ,  電流フィラメント ,  LDMOS ,  デバイス工学 ,  洞察