TMTCチャネル(TiS_3,In_4Se_3)およびサイズ依存特性を持つトランジスタを研究するための時間分数二重位相遅れフレームワーク【JST・京大機械翻訳】

Fotovvat Mohammad Hosein; Shomali Zahra

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202212256741557 整理番号：22P0303173

TMTCチャネル(TiS_3,In_4Se_3)およびサイズ依存特性を持つトランジスタを研究するための時間分数二重位相遅れフレームワーク【JST・京大機械翻訳】

A time-fractional dual-phase-lag framework to investigate transistors with TMTC channels (TiS3, In4Se3) and size-dependent properties

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発行年： 2022年03月12日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年05月15日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

本研究では,トランジスタの熱モデリングにおけるFourier則置換のための選択として,温度ジャンプ境界条件を有する時間分数二相遅れモデルを利用した。より詳細に,分数DPL方程式を用いた新しく提案したTMTC電界効果トランジスタにおける熱伝達の数値シミュレーションを研究した。さらに,分数DPLモデルの離散化のための有限差分法を定式化するためにCaputo分数導関数を採用した。ピーク温度上昇,温度および熱流束プロファイルに対するより正確な結果を得るために,サイズ依存熱特性を考慮した。また,温度ジャンプ境界条件を混合型境界条件によって適用した。検討中のトランジスタのサイズ依存熱特性を考慮すると,ピーク温度上昇は250パーセントまで上昇した。さらに,シリコンMOSFETに対する一定のバルク熱特性を考慮して,α=0.7,0.9および1のピーク温度上昇の時間変動において,ある振動を観測した。これは,電子ナノ半導体デバイスに現れるいわゆる負のバイアス温度不安定性を示す。最後に,ホットスポット温度を,準一次元バンド構造チャネルを有する二次元材料を含むトランジスタで研究した。研究したFETの中で,19.63Kの最大温度上昇を有するチタントリスルフィドは,最小ピーク温度上昇を示した。これは,TiS3が熱問題に関する限り,許容できるシリコンチャネル置換であるかもしれないことを示す。【JST・京大機械翻訳】

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, , 【Automatic Indexing@JST】

熱伝導 , 対流・放射熱伝達 , トランジスタ

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