バルク半導体基板上の二層CrI_3の高Curie温度強磁性【JST・京大機械翻訳】

Liu Nanshu; Zhou Si; Zhao Jijun

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202212269852293 整理番号：22P0185700

バルク半導体基板上の二層CrI_3の高Curie温度強磁性【JST・京大機械翻訳】

High-Curie-temperature ferromagnetism in bilayer CrI3 on bulk semiconducting substrates

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで

この文献はプレプリントです。プレプリントについてはこちらをご確認ください。

著者 (3件)： , ,
資料名：
発行年： 2020年08月28日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年08月28日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

高いCurie温度を有する二次元(2D)強磁性(FM)半導体は,電子およびスピントロニクス応用に対して長い間追求されてきた。ここでは,本質的に層間反強磁性(AFM)秩序と弱い面内FMカップリングを有する,単斜晶積層の二層CrI_3におけるロバストFM状態を達成するための一般的戦略を提供した。バルク半導体基板からの近接効果が電子ドーピングを誘起し,二層CrI_3に対するFM最近接交換を著しく増大させ,層間スピン配置に対するAFM-to-FM遷移と,層内FM結合の増強をもたらすことを示した。第一原理計算とモンテカルロシミュレーションにより,CrI_3との強い共有結合から弱いvan der Waals(vdW)相互作用への異なる相互作用強度を与えるバルクと2D半導体を比較し,二層CrI_3の磁気挙動とCurie温度に対する基板効果を徹底的に扱った。これらの理論的結果は,デバイス実装のための高いCurie温度を達成するために,適切な半導体基板上の2D強磁性体の直接合成のための容易な経路を提供する。【JST・京大機械翻訳】

, , , , , , , , , , , , , ,
, , , 【Automatic Indexing@JST】

その他の無機化合物の磁性 , 半導体結晶の電子構造

, , , ,

前のページに戻る