Ge/GaAsに格子整合したSi_xGe_1-x-ySn_y合金における直接遷移エネルギーの組成依存性【JST・京大機械翻訳】

Pearce Phoebe M.; Ong Sheau Wei; Johnson Andrew D.; Tok Eng Soon; Ekins-Daukes Nicholas J.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202212331356800 整理番号：22P0305255

Ge/GaAsに格子整合したSi_xGe_1-x-ySn_y合金における直接遷移エネルギーの組成依存性【JST・京大機械翻訳】

Compositional dependence of direct transition energies in Si$_x$Ge$_{1-x-y}$Sn$_y$ alloys lattice-matched to Ge/GaAs

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発行年： 2022年03月10日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月10日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Si_xGe_1-x-ySn_y三元合金は太陽電池や他のオプトエレクトロニクスデバイスに用いる候補材料である。GeリッチSi_xGe_1-x-ySn_y合金の直接遷移エネルギーおよび構造的性質について,最大10%Siおよび3%Sn,格子整合GeまたはGaAs基板に6つの異なる組成で報告した。0.9~5.0eVの間で起こる直接遷移を分光偏光解析法(SE)を用いて調べ,得られたデータを用いて多層モデルをフィッティングすることによりSi_xGe_1-x-ySn_yn層の誘電関数を得た。次に,E_0,E_1,Δ_1,E_0′およびE_2遷移エネルギーに対する値を,臨界点の位置を抽出するためにこれらの誘電関数を区別することによって見出した。構造的に,試料の組成をエネルギー分散X線測定(EDX)を用いて測定した。これらの組成から予測した格子定数はX線回折(XRD)により得られた逆空間マップと良く一致した。結果は,1eVの直接吸収端が比較的低いSiとSnの分率(<10%と<3%)を用いて達成され,一方,より高いエネルギー臨界点はGeに比べて小さなシフトを示し,以前に観察されたか,または文献で予測された結果と一致することを確認した。【JST・京大機械翻訳】

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半導体結晶の電子構造 , 太陽電池

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