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J-GLOBAL ID：202202212351273304   整理番号：22A0550404

高性能p-nダイオードと接合電界効果トランジスタのための混合次元WS_2/GaSbヘテロ接合【JST・京大機械翻訳】

A mixed-dimensional WS₂/GaSb heterojunction for high-performance p-n diodes and junction field-effect transistors

著者 (10件)： Cheng Zichao (MIIT Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Institute of Optoelectronics & Nanomaterials, School of Material Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China. [e-mail] [e-mail] xiangchen@njust....) ,  Song Xiufeng ,  Jiang Lianfu ,  Wang Lude ,  Sun Jiamin ,  Yang Zaixing ,  Jian Yuxuan ,  Zhang Shengli ,  Chen Xiang ,  Zeng Haibo
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 10  号： 4  ページ： 1511-1516  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンベース基板上に集積したGaSbナノワイヤは,p型電界効果トランジスタにとって非常に重要である。特に,チップはますます小型化され,複雑な誘電工学を避ける必要がある。したがって,接合電界効果トランジスタ(JFET)の導入はトランジスタの性能を改善するために使用できる。n-WS_2シートと組み合わせたヘテロ構造pチャネル空乏型GaSb接合電界効果トランジスタを実証した。n-WS_2/p-GaSbヘテロ構造ダイオードにおいて典型的なダイオード特性が観察され,約104の高い整流比を有した。JFETは,約104のON/OFF比およびサブ閾値スイング(SS≒723mVdec-1)を有する優れた電気特性を有した。バックゲート制御により,ON/OFF電流比は~106に改善され,低SSは166mVdec-1に抑制された。さらに,ヘテロ接合の電気的性質により,JFETとp-nダイオードは高温で良好な安定性を維持した。したがって,WS_2/GaSbヘテロ接合は統合電力電子システムの小型化を可能にし,低電力エレクトロニクスへの有望な経路を提供する。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  高温 ,  *ダイオード ,  電流 ,  *トランジスタ ,  電力 ,  電気的性質 ,  ケイ素 ,  小型化 ,  素子構造 ,  電気特性 ,  接合形FET ,  *アンチモン化ガリウム ,  ナノワイヤ
準シソーラス用語： バックゲート ,  ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高性能 ,  ダイオード ,  電界効果トランジスタ ,  次元 ,  GaSb ,  ヘテロ接合