Lie点対称性を用いた単一エネルギー放出を持つ非平面ダイオードのための空間電荷制限電流密度【JST・京大機械翻訳】

Harsha N. R. Sree; Halpern Jacob M.; Darr Adam M.; Garner Allen L.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202212411610197 整理番号：22P0325004

Lie点対称性を用いた単一エネルギー放出を持つ非平面ダイオードのための空間電荷制限電流密度【JST・京大機械翻訳】

Space-charge-limited current density for nonplanar diodes with monoenergetic emission using Lie-point symmetries

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発行年： 2022年03月03日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月03日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

空間電荷制限電流密度(SCLD)を理解することは,多くの高出力および高電流真空デバイスを特性評価するために,基本的かつ実用的に重要である。これにもかかわらず,非ゼロ単一エネルギー初期速度を有するSCLCの解析的方程式を,第一原理から非平面ダイオードに対して導いた。非平面形状に対するSCLDの解析的方程式を得ることは,問題の非線形性と制約された境界条件によってしばしば複雑である。本レターでは,任意の直交ダイオードに対するSCLCを導出するために,支配微分方程式を線形化するために,Lie点対称性を識別することにより得られた正準座標を用いた。この方法を用いて,一次元円筒,球形,先端対チップ(t-t)および先端対板(t-p)ダイオードに対する単一エネルギー注入速度を有するSCLCに対する厳密な解析的方程式を導いた。特に,ゼロ初期速度から単エネルギー発光への補正係数は,初期速度論および電気ポテンシャルエネルギーのみに依存し,ダイオード形状ではなく,SCLCDは,正準ギャップサイズの関数としてプロットするとき,普遍的であった。また,t-pダイオードのSCLDは注入速度に依存しないt-tダイオードよりも4倍大きいことを示した。結果は,変分計算および共形写像を用いて,ゼロ初期速度に対して以前に導いた結果に低減した。【JST・京大機械翻訳】

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, 【Automatic Indexing@JST】

ダイオード , 半導体-金属接触 , 有機化合物の電気伝導

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