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J-GLOBAL ID:202202212519074416   整理番号:22A0442468

高効率で安定なペロブスカイト太陽電池のための同時水素結合と塩素配位によるFASnI_3膜の電子欠陥不動態化【JST・京大機械翻訳】

Electronic defect passivation of FASnI3 films by simultaneous Hydrogen-bonding and chlorine co-ordination for highly efficient and stable perovskite solar cells
著者 (8件):
資料名:
巻: 431  号: P4  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: D0723A  ISSN: 1385-8947  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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スズベースのペロブスカイト太陽電池(Sn-PSC)は,低毒性PSCの作製のための実行可能な解決策として浮上している。しかし,スズハライドペロブスカイト化合物の急速結晶化プロセスは,しばしば,全体のPSCの開回路電圧(V_OC)を制限する厳しい電子欠陥をもたらす。本研究では,電子欠陥を低減するためのFASnI_3パーボサイトによる二機能性化合物-ヒドロキシアミンヒドロクロリド(HaHc)の成功した実装について報告する。HaHcのヒドロキシル基は,FASnI_3ペロブスカイト系でヨウ化物イオンと水素結合を形成し,全構造を安定化し,核磁気共鳴分光法と第一原理計算によって証明された。さらに,HaHcのCl-イオンはFASnI_3ペロブスカイトの配位したSn2+イオンと配位し,結晶性の増大に伴って<h00>方向に沿って結晶成長を誘起する。これらの二重側面と共に,HaHcはFASnI_3ペロブスカイト膜の電子欠陥を減少させた。FASnI_3を添加したHaHcの最適濃度により,対応するSn-PSCは,0.676Vまでの改善されたV_OCと9.18%の電力変換効率を示した。さらに,2官能性HaHcはFASnI_3系を安定化するのに有効であり,それぞれのSn-PSCに対して500hまでの光浸漬安定性を示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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触媒操作  ,  太陽電池 

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