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J-GLOBAL ID：202202212525456519   整理番号：22A0741616

定常状態条件下でのGaInN/GaN量子井戸の低温内部量子効率【JST・京大機械翻訳】

Low-temperature internal quantum efficiency of GaInN/GaN quantum wells under steady-state conditions

著者 (13件)： Sidikejiang Shawutijiang (Institut fuer Angewandte Physik, Technische Universitaet Braunschweig, Mendelssohnstr. 2, 38106 Braunschweig, Germany) ,  Sidikejiang Shawutijiang (Laboratory for Emerging Nanometrology, Technische Universitaet Braunschweig, Langer Kamp 6a, 38106 Braunschweig, Germany) ,  Henning Philipp (Institut fuer Angewandte Physik, Technische Universitaet Braunschweig, Mendelssohnstr. 2, 38106 Braunschweig, Germany) ,  Henning Philipp (Laboratory for Emerging Nanometrology, Technische Universitaet Braunschweig, Langer Kamp 6a, 38106 Braunschweig, Germany) ,  Horenburg Philipp (Institut fuer Angewandte Physik, Technische Universitaet Braunschweig, Mendelssohnstr. 2, 38106 Braunschweig, Germany) ,  Horenburg Philipp (Laboratory for Emerging Nanometrology, Technische Universitaet Braunschweig, Langer Kamp 6a, 38106 Braunschweig, Germany) ,  Bremers Heiko (Institut fuer Angewandte Physik, Technische Universitaet Braunschweig, Mendelssohnstr. 2, 38106 Braunschweig, Germany) ,  Bremers Heiko (Laboratory for Emerging Nanometrology, Technische Universitaet Braunschweig, Langer Kamp 6a, 38106 Braunschweig, Germany) ,  Rossow Uwe (Institut fuer Angewandte Physik, Technische Universitaet Braunschweig, Mendelssohnstr. 2, 38106 Braunschweig, Germany) ,  Rossow Uwe (Laboratory for Emerging Nanometrology, Technische Universitaet Braunschweig, Langer Kamp 6a, 38106 Braunschweig, Germany) ,  Menzel Dirk (Institut fuer Physik der Kondensierten Materie, Technische Universitaet Braunschweig, Mendelssohnstr. 3, 38106 Braunschweig, Germany) ,  Hangleiter Andreas (Institut fuer Angewandte Physik, Technische Universitaet Braunschweig, Mendelssohnstr. 2, 38106 Braunschweig, Germany) ,  Hangleiter Andreas (Laboratory for Emerging Nanometrology, Technische Universitaet Braunschweig, Langer Kamp 6a, 38106 Braunschweig, Germany)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 37  号： 3  ページ： 035017 (10pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 同一励起条件下でGaInN/GaN量子井戸(QW)構造の低温光ルミネセンス(PL)強度を比較し,試料側を側面に取り付けた。QWsにおける吸収パワー密度に対する測定強度の正規化により,時間分解PLにおける100%内部量子効率(IQE)に近いいくつかの試料の低温PL効率がほぼ同一値で飽和することを見出した。経過中,これは,それらの効率的なサンプルに対して,低温において100%のIQEを示す強い指標である。他方,低温PL効率を用いて,低温IQEに及ぼす温度に依存しない非放射損失の影響だけでなく,絶対スケールで任意の試料のIQEを決定できた。さらに,アルゴン注入による構造欠陥を意図的に導入後,初期100%IQEと試料の低温効率を比較することにより,実験結果を証明した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *低温 ,  光ルミネセンス ,  励起 ,  アルゴン ,  *窒化ガリウム ,  *量子効率 ,  *量子井戸 ,  放射損失 ,  正規化
準シソーラス用語： 電力密度 ,  *内部量子効率 ,  定常状態 ,  構造欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 定常状態 ,  GaN ,  量子井戸 ,  低温 ,  内部量子効率