FeGaB-BiSb界面を横切る光およびマイクロ波駆動スピンポンピング【JST・京大機械翻訳】

Sharma Vinay; Wu Weipeng; Bajracharya Prabesh; To Duy Quang; Johnson Anthony; Janotti Anderson; Bryant Garnett W.; Gundlach Lars; Jungfleisch M. Benjamin; Budhani Ramesh C.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202212539102720 整理番号：22P0026923

FeGaB-BiSb界面を横切る光およびマイクロ波駆動スピンポンピング【JST・京大機械翻訳】

Light and microwave driven spin pumping across FeGaB-BiSb interface

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発行年： 2022年01月12日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年01月12日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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大きなスピンHall伝導率を有する3-Dトポロジー絶縁体(TI)はスピントロニクス応用の有力な候補として浮上している。ここでは,スピンポンピングと超高速スピン電流注入の2つの相補的技法によって活性化した非晶質強磁性体(FM)Fe_{78}Ga_{13}B_{9}(FeGaB)と3-D TI Bi_{85}Sb_{15}(BiSb)の二分子層におけるスピンから電荷への変換を報告する。DC磁化測定はFeGaB膜の軟磁性特性を確立し,FeGaB-BiSbのヘテロ構造では変化しない。広帯域強磁性共鳴(FMR)研究は,スピン角運動量がTI層へ漏れると,先行磁化とスピン混合コンダクタンスの大きな値(5.03x10||19}m→2})の強化された減衰を明らかにした。逆スピンHall効果によってTI層を横切って発生した磁場制御バイポーラdc電圧を解析し,BiSbのスピンHall角とスピン拡散長の値を抽出した。フェムト秒光パルス誘起テラヘルツ発光の測定から導いたスピンポンピングパラメータはFMRの結果と一致する。Kubo-Bastin式と強束縛モデル計算は,TI膜の厚み依存性スピンHall伝導率を明らかにし,実験データと顕著な一致を示した。著者らの結果は,室温蒸着非晶質および多結晶ヘテロ構造が,新しいスピン軌道トルクデバイスを作製するための有望なプラットフォームを提供することを示唆する。【JST・京大機械翻訳】

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金属結晶の電子伝導 , その他の無機化合物の磁性 , 絶縁体結晶の電子構造

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