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J-GLOBAL ID:202202212631806378   整理番号:22A0223377

光ルミネセンスイメージングとテンプレートマッチングアルゴリズムによる150mmSiCエピタキシャルウエハにおける基底面転位の自動検出【JST・京大機械翻訳】

Automatic Detection of Basal Plane Dislocations in a 150-mm SiC Epitaxial Wafer by Photoluminescence Imaging and Template-matching Algorithm
著者 (4件):
資料名:
巻: 51  号:ページ: 243-248  発行年: 2022年 
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,光ルミネセンス画像中のSiCエピタキシャル層で伝搬する基底面転位(BPD)の自動検出のためのアルゴリズムを構築し,その性能を評価した。BPDは積層欠陥の拡大に起因するSiCバイポーラデバイスの劣化の起源である。テンプレートマッチング法に基づく現在の自動検出アルゴリズムは高精度と精度を有し,150mmSiCエピタキシャルウエハのBPD密度を可視化することに成功した。テンプレートマッチング法は,SiCエピタキシャル層中のBPDのような幾何学的に固定された形状を有する結晶欠陥の検出に適用できることを確認した。Copyright The Minerals, Metals & Materials Society 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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半導体の格子欠陥  ,  半導体薄膜  ,  固体デバイス材料 

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