完全二次元スピントロニクスデバイスに向けて【JST・京大機械翻訳】

Kaverzin Alexey A.; Ghiasi Talieh S.; Dismukes Avalon H.; Roy Xavier; van Wees Bart J.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202212652205765 整理番号：22P0292584

完全二次元スピントロニクスデバイスに向けて【JST・京大機械翻訳】

Towards fully two-dimensional spintronic devices

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発行年： 2022年02月20日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年02月20日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

スピントロニクスの分野では,2次元(2D)材料から完全に作製されたスピンベース輸送デバイスへの応用開発に向けて大きな努力が向けられている。本研究では,スピン信号の生成が,層間反強磁性体,CrSBrの近接性から生じる磁性グラフェンのスピン依存伝導率に起因するスピンバルブデバイスの実験的実現を示した。著者らは,グラフェン/CrSBrヘテロ構造が採用されるとき,通常の3D磁気接触(一般に空気感受性であり,実用的技術と両立しない)の使用を完全に回避できることを明確に示した。さらに,例外的に長いスピン緩和長を提供することとは別に,スピンの生成と輸送の両方に対するグラフェンの使用は,従来の低抵抗接触を用いるとき考慮されるべきソースとチャネル回路間の伝導率不整合を自動的に回避することを可能にする。著者らの結果は,層状材料からのスピントロニクス回路の工学における必要な段階に対処し,複雑なスピン-論理素子の領域における更なる発展を先行する。さらに,著者らは,空気感受性および繊細な有機材料の分野において即時の利点を提供する損傷フリー技術による電極の調製のためのレシピを設計および実装する作製手順を紹介した。【JST・京大機械翻訳】

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炭素とその化合物 , 固体デバイス材料 , その他の無機化合物の磁性

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