ゲルマニウム二重量子井戸における高移動度正孔二重層【JST・京大機械翻訳】

Tosato A.; Ferrari B. M.; Sammak A.; Hamilton A. R.; Veldhorst M.; Virgilio M.; Scappucci G.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202212660335171 整理番号：22P0276022

ゲルマニウム二重量子井戸における高移動度正孔二重層【JST・京大機械翻訳】

A high-mobility hole bilayer in a germanium double quantum well

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発行年： 2022年01月18日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年01月18日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

歪ゲルマニウム二重量子井戸における正孔二重層を設計し,製作し,研究した。ゲート電圧の関数としての二重量子井戸電界効果トランジスタの磁気輸送キャラクタリゼーションは,3.34×10 ̄5cm ̄2/Vsの高い結合移動度と2.38×10 ̄10cm ̄-2の低いパーコレーション密度を有する2つの正孔チャネルの集団を明らかにした。Landauファンダイヤグラムの干渉パターンからチャネルの個々の集団を解いた。2.0×10 ̄11cm ̄-2の密度で,このシステムは共鳴にあり,Schr「odinger-Poissonシミュレーション」と一致して,対称-非対称ギャップがε>0.69meVで特徴付けられる最初の2つの二分子層サブバンドの反交差を観測した。【JST・京大機械翻訳】

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トランジスタ

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