スイッチング損失を増加させずに並列接続IGBTの電流をバランスするためのターンオン/オフ遅延時間制御

Sasaki Masahiro; Yano Koji

文献

J-GLOBAL ID：202202212748218006 整理番号：22A0710355

スイッチング損失を増加させずに並列接続IGBTの電流をバランスするためのターンオン/オフ遅延時間制御

Turn On/Off Delay Time Control for Current Balancing in Parallel Connected IGBTs without Increasing Switching Loss

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資料名：
巻： 11 号： 1 ページ： 187-188(J-STAGE) 発行年： 2022年
JST資料番号： F1055A ISSN： 2187-1094 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

本レターでは,動的に調整可能なゲート抵抗(R_g)を用いる,スイッチング損失を増加させずに並列接続IGBTにおける電流をバランスさせるためのターンオン/オフ遅延時間制御を示した。スイッチング時間内でゲート抵抗を動的に調整することによって,ターンオン/オフ遅延時間をdI_C/dtとdV_CE/dtに影響することなく制御できた。従って,ゲート抵抗の増加によるdI_C/dtとdV_CE/dtの減少は抑制された。これは,スイッチング損失を増加させることなく,モジュール内のIGBT間のスイッチング過渡時の電流不平衡の良好な補正をもたらす。(翻訳著者抄録)

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著者キーワード (4件)： , , ,

トランジスタ , 電気量制御

引用文献 (5件)：

(1) T. Ohi, T. Horiguchi, T. Okuda, T. Kikunaga, and H. Matsumoto: “Analysis and measurement of chip current imbalance caused by the structure of Bus Bars in an IGBT module”, IEEE Industry Applications Conference, pp. 1775-1779 (1999)
(2) D. Bortis, J. Biela, and J. Kolar: “Active gate control for current balancing of parallel-connected IGBT modules in solid-state modulators”, IEEE Transactions on Plasma Science, Vol. 36, No. 5, pp. 2632-2637 (2008)
(3) M. Sasaki, W. T. Ng, and H. Nishio: “Dynamic gate resistance control for current balancing in parallel connected IGBTs”, Applied Power Electronics Conference and Exposition, pp. 244-249 (2013)
(4) Y. Onozawa, M. Otsuki, and Y. Seki: “Great Improvement in Turn-On Power Dissipation of IGBTs with an Extra Gate Charging Function”, International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, pp. 207-210 (2005)
(5) Y. Onozawa, M. Otsuki, and Y. Seki: “Investigation of carrier streaming effect for the low spike fast IGBT turn-off”, International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 2006, pp. 173-176 (2006)

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