遷移金属ジカルコゲナイド超伝導体におけるElectron-Electron相互作用と弱い反局在効果【JST・京大機械翻訳】

Li Chushan; Boubeche Mebrouka; Zeng Lingyong; Ji Yi; Li Qixuan; Guo Donghui; Zhu Qizhong; Zhong Dingyong; Luo Huixia; Wang Huichao

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202212868693292 整理番号：22P0286950

遷移金属ジカルコゲナイド超伝導体におけるElectron-Electron相互作用と弱い反局在効果【JST・京大機械翻訳】

Electron-Electron Interaction and Weak Antilocalization Effect in a Transition Metal Dichalcogenide Superconductor

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発行年： 2022年02月09日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年02月09日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

無秩序遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)超伝導体では,強いスピン-軌道結合(SOC)と無秩序の両方が超伝導に顕著な効果を示した。しかし,SOCと障害の特徴は,ほとんど直接検出されなかった。ここでは,TMD超伝導体1T-NbSeTeにおけるSOCと無秩序の相互作用から生じる量子輸送挙動を報告する。超伝導状態に入る前に,低温で単結晶は抵抗上昇を示し,それはT_1/2依存性であり,印加磁場に鈍感であった。低温での磁気抵抗(MR)は,高磁場でのH_1/2依存性を示した。この特性は不規則導体の電子-電子相互作用(EEI)と良好に一致した。さらに,低磁場でのアップターン変化とMRは,材料中の強いSOCから生じる弱い反局在化(WAL)効果の寄与を示唆する。さらに,異なる試料における輸送特性の定量的分析は,さらに理解する必要がある異常な無秩序増強超伝導を意味する。結果は,無秩序増強EEIと1T-NbSeTeにおける強いSOC誘起WAL効果を明らかにし,それは広く研究されたドープ超伝導体における抵抗最小を示す。本研究はまた,超伝導に及ぼす無秩序効果への洞察を提供する。【JST・京大機械翻訳】

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金属系超伝導体の物性 , 超伝導体の物性一般

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