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J-GLOBAL ID:202202213143245531   整理番号:22A1114692

二次元スズ一硫化物相の電子ギャップ安定性:電子デバイス応用のための最適構造に向けて【JST・京大機械翻訳】

Electronic gap stability of two-dimensional tin monosulfide phases: Towards optimal structures for electronic device applications
著者 (10件):
資料名:
巻: 591  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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スズモノスルフィドは,太陽光放出スペクトルのピークでそのバンドギャップを与える,光エネルギー変換効率を最大化する可能性のある環境に優しい太陽電池材料であることはよく知られている。しかし,SnSの表面でのSnとS空孔の存在は,これらの太陽電池の性能を妨げる。本研究では,既知の温度勾配下で気相堆積を用いてグラファイト上に硫化スズ小板を調製した。注目すべきことに,2種類の成長モードを観察した。(i)板状の平坦な結晶と(ii)螺旋テラスにより形成されたより好ましいもの,の優勢なもの。両構造はSnSに匹敵する化学組成を示した。走査トンネル顕微鏡(STM)と分光法(STS)を用いて,平坦なSnS小板はバンドギャップとドーピングでゆらぎを示すが,螺旋小板は安定,均一バンドギャップ,および負のドーピングを示すことを観測した。制限視野電子回折(SAED)を用いて,不安定な相の血小板はSnSの共通の斜方晶系構造と関連するが,マイナーな安定な螺旋小板は多結晶であり,準安定立方晶相にあることを明らかにした。大きい表面積でのこのより有利な相の生成は,より効率的な硫化スズ系太陽電池の生産にとって,潜在的関心事である。さらに,STM/STSとSAEDを用いた太陽電池材料の分析は,他の潜在的なオプトエレクトロニクス用途のための2D材料の適合性と適用性の迅速決定のためのフレームワークを提供する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池  ,  半導体薄膜 

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