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J-GLOBAL ID：202202213162244747   整理番号：22A0898217

熱電応用のための種々の基板上の多結晶Si_0.7Ge_0.3の成長【JST・京大機械翻訳】

Growth of polycrystalline Si_0.7Ge_0.3 on various substrates for thermoelectric applications

著者 (3件)： Sison Gavin (Department of Chemical Engineering, National Taiwan University, Taipei 1-617, Taiwan) ,  Chiang Ping-ting (Department of Chemical Engineering, National Taiwan University, Taipei 1-617, Taiwan) ,  Lan Chung-wen (Department of Chemical Engineering, National Taiwan University, Taipei 1-617, Taiwan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 585  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンゲルマニウムは,高温用途のための最良の熱電材料の1つであることが知られているが,メイオクリーク効率値をもたらした。熱電効率は熱伝導率に逆比例し,結晶粒界の増加と共に減少する。結晶成長中の粒界を最大化または粒径を減少させるため,本研究では,SiC,Si_3N_4およびSi_3N_4:Si基板を含む種々の基板上のSi_0.7Ge_0.3の成長挙動を,冷却速度5,20および100K/minで観察することを目的とした。試料過冷却は,SiCとSi_3N_4:Siに対して,それぞれ0.6Kと1.9Kの平均値で有意な温度依存性を持たないことが分かった。結晶成長挙動は冷却速度,過冷却および基板材料に依存することを見出した。より高い冷却速度はより多くの結晶粒を生成し,SiCは偏析したメルトの最も小さい部分で最も大きく生成するが,Si_3N_4は反対であることが分かった。成長挙動を試料の走査電子顕微鏡分析により確認した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 過冷却 ,  結晶成長 ,  結晶粒界 ,  高温 ,  熱伝導率 ,  偏析 ,  炭化ケイ素 ,  温度依存性 ,  結晶粒 ,  冷却速度 ,  メルト ,  熱電材料 ,  *ポリシリコン
準シソーラス用語： シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A1.樹状突起 ,  A1.核形成 ,  A1 凝固 ,  A1.基質 ,  B1.ゲルマニウムシリコン合金 ,  B3 赤外線デバイス

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： 応用 ,  成長