数層NbSe_2の非線形光学Hall効果【JST・京大機械翻訳】

Habara Ren; Wakabayashi Katsunori

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202213235506945 整理番号：22P0309417

数層NbSe_2の非線形光学Hall効果【JST・京大機械翻訳】

Nonlinear optical Hall effect of few-layered NbSe2

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発行年： 2022年03月23日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月23日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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NbSe_2は,金属二次元(2D)遷移金属ジカルコゲン化物(TMDC)材料の1つである。壊れた結晶反転対称性のため,大きなスピン分裂は奇数層NbSe_2におけるIsing型スピン-軌道結合によって誘起されるが,反転対称性を有する偶数層NbSe_2には存在しなかった。本論文では,Nb原子のd_z ̄2,d_x ̄2-y ̄2およびd_xy軌道を含む有効強束縛モデルに基づいて,数層NbSe_2の非線形光電荷およびスピンHall伝導率を数値的に計算した。第二高調波発生(SHG)プロセスに対する非線形光学Hall伝導率は奇数層NbSe_2において非バニシ仕上値を持つことを示した。また,少数層NbSe_2とそれらの偏光依存性における非線形光学選択則を提供した。さらに,偶数数層の場合,反転対称性を破る電場を適用することにより,非線形光学Hall電流を発生できた。また,非線形光Hall効果がTMDC材料において一般的に起こると予想される。したがって,著者らの結果は,SHGによってスピンHall電流を発生させるために2D材料に基づく潜在的opt-スピントロニクスデバイスを設計するのに役立つであろう。【JST・京大機械翻訳】

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, , , , 【Automatic Indexing@JST】

非線形光学 , 塩 , 半導体薄膜 , 半導体結晶の電子構造 , 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造

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