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J-GLOBAL ID：202202213253298955   整理番号：22A0901224

高κベースInP金属-オキシド-半導体デバイスの電気的性質に及ぼすフッ素プラズマ前処理の効果【JST・京大機械翻訳】

Effects of fluorine plasma pre-treatment on electrical properties of high-κ-based InP metal-oxide-semiconductor device

著者 (6件)： Xu Qian (School of Electronic Science and Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Liu Wei-Dong (School of Electronic Science and Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Ding Yao-Xin (School of Electronic Science and Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Zheng Zhi-Wei (School of Electronic Science and Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Ying Lei-Ying (School of Electronic Science and Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Zhang Bao-Ping (School of Electronic Science and Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 585  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,高κベースInP金属-オキシド-半導体キャパシタデバイスの電気的性質に及ぼす異なる曝露時間によるフッ素(F)プラズマ前処理の影響を調べた。3分間のInP表面上の最適Fプラズマ前処理によって,周波数分散,漏れ電流密度,および界面トラップ密度を含むデバイス特性は,強いIn-F結合を形成することによって,天然酸化物の形成を抑制する最適Fプラズマにより著しく改善され,高κ/InP界面での界面トラップを不動態化した。この結果は,適切なFプラズマ前処理のアプローチが,高性能InP MOSデバイスの将来の応用のための解決策を提供することを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *プラズマ ,  *半導体 ,  *半導体素子 ,  *フッ素 ,  *電気的性質 ,  *酸化物 ,  不動態化 ,  前処理 ,  *リン化インジウム ,  キャリア捕獲
準シソーラス用語： 界面トラップ ,  デバイス特性 ,  周波数分散 ,  漏れ電流密度 ,  曝露時間 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： InP ,  フッ素プラズマ ,  インタフェイス

分類 (1件)： プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高 ,  InP ,  オキシド ,  半導体デバイス ,  電気的性質 ,  フッ素 ,  プラズマ ,  前処理