ニューロモルフィックシステムのためのグラフェン/イオン液体メモリスタデバイスのキャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Koymen Itir; Liu Shuyu; Ergoktas Said; Kocabas Coskun

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202213265413623 整理番号：22P0324919

ニューロモルフィックシステムのためのグラフェン/イオン液体メモリスタデバイスのキャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Characterization of Graphene/Ionic Liquid Memristive Devices for Neuromorphic Systems

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発行年： 2022年03月29日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月29日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

柔軟で生体適合性のメムリスティブデバイスは,計算能力の改善とドラッグデリバリー,神経界面とバイオセンサを含む生体系とのインターフェースエレクトロニクスへの動機により,バイオエレクトロニクスシステムにとって特に魅力的である。より非正統な有機材料で作られた構造は,それらの特性,柔軟性,適合性,生体適合性および簡単で低コストな製造のため,異なる問題に対処することができる。ゲートグラフェン/イオン液体(IL)デバイスが,局所伝導率を制御する局所電位差により,グラフェン/IL界面での電気二重層(数ナノメートルの厚さを有するイオンの薄い層)の形成をもたらすことが観察された。この構造はチャネルに沿った動的p-n接合形成に基づくメムリスティブ機構を提供する。このメムリスティブ挙動に動機づけられて,グラフェン/ILデバイスを,メムリスタ挙動および連想学習を示す目的で組み立てた。本研究では,高分子基板上の柔軟なグラフェン/ILデバイスのメムリスティブ特性を調べた。これらの新しいデバイスのI-V特性とスイッチング機構を研究した。デバイスの2つの異なるトポロジー(単一入力,単一出力,および二重入力,単一出力)を製造し,条件付けを模倣するために試験した。正と負の両極性の電圧パルス列の適用がデバイスコンダクタンスを増加させ,反復励起後に大きな電流を通過できることを観測した。この特性を,条件装置とエミュレート連想学習に利用した。【JST・京大機械翻訳】

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炭素とその化合物 , トランジスタ

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