強く混成した1T′-WTe_2/NbSe_2ヘテロ構造における多重バンド超伝導【JST・京大機械翻訳】

Tao Wei; Tong Zheng Jue; Das Anirban; Ho Duc-Quan; Sato Yudai; Haze Masahiro; Jia Junxiang; Goh K. E. Johnson; Wang BaoKai; Lin Hsin; Bansil Arun; Mukherjee Shantanu; Hasegawa Yukio; Weber Bent

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202213329934819 整理番号：22P0301821

強く混成した1T′-WTe_2/NbSe_2ヘテロ構造における多重バンド超伝導【JST・京大機械翻訳】

Multi-Band Superconductivity in Strongly Hybridized 1T'-WTe$_2$/NbSe$_2$ Heterostructures

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資料名：
発行年： 2022年03月10日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月10日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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トポロジーと超伝導の相互作用は,超伝導ペアリングのトポロジー的に自明でない形の追跡のための凝縮物質物理学における強い研究の主題になった。本質的に通常の導電材料は,近接効果を介して親超伝導体への電気的接触を介して超伝導を継承し,通常,2つの別々の導体の異なる電子構造間の界面でのAndreev反射として理解される。しかし,高い界面透明性では,強いカップリングは,電子状態のハイブリッド化により,局所的にバンド構造の変化をもたらす。ここでは,van-der-WaalsエピタキシーによりNbSe_2上に成長させた単層1T′-WTe_2のそのような強い近接結合ヘテロ構造を調べた。超伝導局所状態密度(LDOS)は,500 ̄mKまで走査トンネル分光法で解決し,NbSe_2基板に固有なマルチバンド超伝導を捕獲するMcMillan方程式に基づくマルチバンドフレームワークによってよく記述され,WTe_2の近接性で誘起された,自己矛盾のない,ハイブリッド電子構造を反映する。著者らの材料特異的強束縛モデルは,ハイブリッドヘテロ構造を定量的に捕捉し,強い層間ホッピングが,名目上バンド絶縁結晶であっても,2D WTe_2バルク中の半金属状態密度を生じさせることを確認した。モデルは,さらに,2 ̄T磁場を越えて安定な,WTe_2単層バルクで誘起された,測定した秩序パラメータΔΔ0.6 ̄meVを正確に予測した。ハイブリッド電子構造の詳細なマルチバンド解析は,近接した原子的に薄いトポロジー材料における誘起秩序パラメータの高感度空間マッピングのための有用なツールを提供すると信じる。【JST・京大機械翻訳】

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Josephson接合・素子

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