ナノパターン形成パーマロイKagom’{e}アレイにおけるメモリスタ効果【JST・京大機械翻訳】

Fonseca Wesley B. J.; Garcia Flavio; Caravelli Francesco; de Araujo Clodoaldo I. L

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202213369527590 整理番号：22P0280360

ナノパターン形成パーマロイKagom’{e}アレイにおけるメモリスタ効果【JST・京大機械翻訳】

Memristive effects in nanopatterned permalloy Kagom\'{e} array

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発行年： 2022年01月26日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年01月26日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Kagom’{e}ナノパターン化パーマロイにおけるメムリスティブ効果について研究した。低周波数では,サーミスタ効果が存在し,リソグラフィーによる現象が生じ,薄膜では同様の実験では存在しないことを観測した。しかし,独立した異方性磁気抵抗研究により,効果の1%を占める小さなヒステリシスは,非混和性効果に起因するものではないことを示した。このような効果は,近くの熱ヒステリシス間の注意深い減算スキームによっても確認された。ミリヘルツ領域では,サーミスタに対する実験結果を記述するための効果的なモデルを提供し,ナノパターン化パーマロイに対するサーミスタからメム抵抗効果まで,ミリヘルツからギガヘルツへの交差があることを示す。【JST・京大機械翻訳】

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, , , , , 【Automatic Indexing@JST】

半導体集積回路 , 金属薄膜 , 金属の磁区及び磁化過程 , 磁性材料

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