量子エミッタを埋め込んだハイブリッドフォトニックデバイスのための熱放出テープ支援半導体膜移動プロセス【JST・京大機械翻訳】

Haws Cori; Guha Biswarup; Perez Edgar; Davanco Marcelo; Song Jin Dong; Srinivasan Kartik; Sapienza Luca

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202213471869927 整理番号：22P0289336

量子エミッタを埋め込んだハイブリッドフォトニックデバイスのための熱放出テープ支援半導体膜移動プロセス【JST・京大機械翻訳】

Thermal release tape-assisted semiconductor membrane transfer process for hybrid photonic devices embedding quantum emitters

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発行年： 2022年02月10日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年02月10日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

異なる材料を組み合わせることで,単一材料システム内では見つかることができない異なる性質とデバイス工学の利点を取り入れることができる。量子ナノフォトニクスでは,例えば,III-V半導体で利用可能な効率的な古典的および量子発光,シリコンベース材料でアクセス可能な低損失光伝搬,ニオブ酸リチウムと広帯域反射器の高速電気光学特性,および/またはエミッタの局所電場応用または電気的注入のための埋込み金属接触を組み合わせて,デバイス機能性を増大させることを望んでいる。自立膜の配列の除去と,熱放出接着剤テープ支援プロセスを用いたホスト材料上へのそれらの堆積に基づく転写印刷技術を提案した。このアプローチは,移動およびホスト材料に限られた制限を課すので,多用途である。特に,金基板上にInAs量子ドットを含む約260μmx80μmまでの寸法を持つ190nm厚のGaAs膜を転送した。マイクロピラーのエッチングと組み合わせた背面反射器の存在は,量子光の抽出効率を著しく増大させ,単一量子ドット線から光子束に達し,1秒あたり8x10 ̄5光子を超え,これは,ピラー外のエミッタから,同じチップ上で測定した最高計数率より4倍高いことを示した。プロセスの多用途性と容易性を考えると,この技術は,特定の適合性問題および/または要求なしに,任意のホスト基板に転送される自立膜を実現するために,実質的に任意の材料を結合できるハイブリッド量子およびナノフォトニックデバイスの実現への道を開いた。【JST・京大機械翻訳】

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, , , , 【Automatic Indexing@JST】

発光素子 , 窒素複素環化合物一般 , 有機化合物・錯体の蛍光・りん光(分子)

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