非同形HfGe_0.92TeにおけるGe空孔に対するロバストなDirac線と可能なスピン-軌道Dirac点【JST・京大機械翻訳】

Chen L.; Zhou L. Q.; Zhou Y.; Liu C.; Guo Z. N.; Gao S. Y.; Fan W. H.; Xu J. F.; Guo Y. X.; K; Liao; Wang J. O.; Weng H. M.; Wang G.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202213520568865 整理番号：22P0274993

非同形HfGe_0.92TeにおけるGe空孔に対するロバストなDirac線と可能なスピン-軌道Dirac点【JST・京大機械翻訳】

Robust Dirac lines against Ge vacancy and possible spin-orbit Dirac points in nonsymmorphic HfGe0.92Te

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発行年： 2022年01月15日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年01月15日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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Dirac点を有する新材料を探すことは,研究の魅力的な主題であった。ここでは,3種類のDirac点を特徴とするHfGe_0.92Te単結晶の成長,結晶構造およびバンド構造について報告する。HfGe_0.92Teは非対称正方晶空間群P4/nmm(No.129)に結晶化し,約8%の空格子点を持つ正方形Ge原子面を有する。Geサイト上の空格子点にもかかわらず,スピン-軌道結合(SOC)に脆弱な従来のDirac点からなるDiracノード線は,SOCと空孔の両方に対して非対称性によって保護されたロバストなDirac線を伴って,角度分解光電子放出分光法を使用して観測された。特に,SOC下で形成された表面に由来するスピン-軌道Dirac点(SDP)は,著者らの実験と計算に従って存在する。準二次元(準2D)特性を観測し,さらに角度分解磁気抵抗により確認した。HfGe_0.92Teは,3つの異なるタイプのDirac点と2D SDPsを実現するための有望な候補を有するエキゾチックトポロジー相またはトポロジー特性を探索するための良い候補である。【JST・京大機械翻訳】

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半導体薄膜 , 金属の結晶構造 , 無機化合物一般及び元素

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