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J-GLOBAL ID：202202213591477505   整理番号：22A0848246

AlON界面層を有するHfZrO_xベースp-FeFETで観測した放射線下の信頼性とリード待ち時間の改善【JST・京大機械翻訳】

Improved Reliability and Read Latency Under Radiation Observed in HfZrO_x Based p-FeFETs With AlON Interfacial Layer

著者 (4件)： Peng Hao-Kai (Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan) ,  Lai Ting-Chieh (Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan) ,  Kao Tien-Hong (Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan) ,  Wu Yung-Hsien (Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 43  号： 3  ページ： 494-497  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高kAlON界面層(IL)を有するHfZrO_xベースp-およびn-FeFETを,γ線放射がメモリ性能と信頼性特性にどのように影響するかを評価するプラットフォームとして使用した。1Mradの放射線量でも,AlON ILによる改善された界面品質のため,両タイプのFeFETに対して,電流比に関する記憶窓(MW)と保持はほとんど変化しなかった。n-FeFETよりも小さなMWを示すけれども,p-FeFETは,熱電子誘起正孔発生の緩和により,長パルス(10-4s)サイクリングによる10SiW5π*サイクルまでの放射線に対するより堅牢な耐久性に関して,より高い競合利点を有すると考えられる。さらに,p-FeFETに対する非常に改善された読取待ち時間は,1Mrad放射線量を受けた後でも維持された。これらの有望な結果は,p-FeFETが放射線環境における高速,高信頼性応用に対して大きな可能性を有することを示唆する。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  γ線 ,  正孔 ,  電流 ,  *信頼性 ,  *放射線 ,  *FET【トランジスタ】 ,  耐久性 ,  放射線量 ,  パルス ,  *待ち時間 ,  ロバスト性
準シソーラス用語： *界面層 ,  *FeFET ,  高信頼性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 界面層 ,  FeFET ,  観測 ,  放射線 ,  リード ,  待ち時間