黒リン/遷移金属ジカルコゲナイドヘテロ層におけるバンド整列:電荷再分布,電場,歪および層工学の影響【JST・京大機械翻訳】

Navlakha Nupur; Jadaun Priyamvada; Register Leonard F.; Banerjee Sanjay K.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202213729281687 整理番号：22P0312380

黒リン/遷移金属ジカルコゲナイドヘテロ層におけるバンド整列:電荷再分布,電場,歪および層工学の影響【JST・京大機械翻訳】

Band Alignment in Black Phosphorus/Transition Metal Dichalcogenide Heterolayers: Impact of Charge Redistribution, Electric Field, Strain and Layer Engineering

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発行年： 2022年03月29日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年08月16日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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本研究の目的は,密度汎関数理論(DFT)シミュレーションによるブラックリン(BP)/Molybdenumジスルフィド(MoS_2)ヘテロ構造のバンドアラインメントに及ぼす電荷再分布,印加層-垂直電場,適用歪,および層工学の影響を研究することである。黒リンは,高い移動度,機械的柔軟性,および層数に対する感度を有するp型材料として働く。より多くの電気陰性材料と結合して,MoS_2は強いキャリア閉込めとタイプIIヘテロ構造をもたらす。層間の電荷再分布は,Electron親和性規則から予想されるバンド整列をシフトさせた。適用外部場,歪および多重BP層は,タイプII範囲および/またはタイプIおよびタイプIIIヘテロ構造への転移にバンド配向同調性を提供した。BP/MoS_2ヘテロ構造の同調性は,トンネル電界効果トランジスタ,調整可能な障壁高さを有する整流器ダイオード,再構成可能FET,および電気光学変調器として有用である。さらに,単層BPのヘテロ構造を他の単層遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)と考慮すれば,異なるバンド配列タイプを達成する能力を示唆した。著者らのシミュレーションでは,タイプIのアラインメントが,タングステンジセレニド(WSe2),モリブデンジセレニド(MoSe2),および二硫化タングステン(WS2),およびハフニウムジスルフィド(HfS2)とハフニウムジセレニド(HfSe2)のためのタイプIIIで見出された。【JST・京大機械翻訳】

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半導体結晶の電子構造 , 無機化合物一般及び元素

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