集束イオンビームを用いた酸化物半導体におけるキャリア密度と相転移の調整【JST・京大機械翻訳】

Mei Hongyan; Koch Alexander; Wan Chenghao; Rensberg Jura; Zhang Zhen; Salman Jad; Hafermann Martin; Schaal Maximilian; Xiao Yuzhe; Wambold Raymond; Ramanathan Shriram; Ronning Carsten; Kats Mikhail A.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202213804238628 整理番号：22P0284389

集束イオンビームを用いた酸化物半導体におけるキャリア密度と相転移の調整【JST・京大機械翻訳】

Tuning carrier density and phase transitions in oxide semiconductors using focused ion beams

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資料名：
発行年： 2022年02月03日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年06月02日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

市販の集束イオンビーム(FIB)系を用いて,代表として薄膜金属酸化物,酸化亜鉛および二酸化バナジウムの光学的性質の空間修正を実証した。Ga ̄+FIBと熱アニーリングを用いて,バンド半導体,酸化亜鉛(ZnO)の可変ドーピングを実証し,10≦λ18cm ̄-3から10≦20cm ̄-3までのキャリア濃度を達成した。その後の熱アニーリングなしで同じFIBを用いて,著者らは,相関半導体,二酸化バナジウム(VO_2)を欠陥加工し,その絶縁体-金属転移(IMT)温度を,約25度Cの範囲で局所的に改質した。FIBを用いた直接書き込みによる金属酸化物のこのような領域選択的修飾は,特にドーピングまたは欠陥密度の多重または連続レベルが必要とされる場合,光学構造の作製に簡単でマスクのない経路を提供する。【JST・京大機械翻訳】

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, , , , 【Automatic Indexing@JST】

酸化物薄膜 , トランジスタ

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