グラファイト上に成長させたSnSe_2原子層における擬ギャップの観測【JST・京大機械翻訳】

Mao Yahui; Shan Huan; Wu Jinrong; Li Zejun; Wu Changzheng; Zhai Xiaofang; Zhao Aidi; Wang Bing

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202213829137753 整理番号：22P0043576

グラファイト上に成長させたSnSe_2原子層における擬ギャップの観測【JST・京大機械翻訳】

Observation of pseudogap in SnSe2 atomic layers grown on graphite

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで

この文献はプレプリントです。プレプリントについてはこちらをご確認ください。

著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
発行年： 2017年12月28日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年07月08日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

超伝導金属ジカルコゲン化物(MDC)は銅酸化物のような他の層状超伝導体といくつかの類似性を示す。原子的に薄いMDCの超伝導は最近の実験で実証されているが,他の秩序と絡み合った超伝導の研究は少ない。MDCの原子層における擬ギャップを調べることは,これらの真の二次元(2D)超伝導系の超伝導機構を理解するのに役立つ。ここでは,走査トンネル顕微鏡/分光法(STM/STS)で高度に配向した熱分解グラファイト(HOPG)上にエピタキシャル成長したSnSe_2の薄層のトンネルスペクトルにおける擬ギャップ開口を報告する。有意なV形擬ギャップがSTSのFermi準位(EF)近くで開放された。そして,高温では,ギャップは徐々に浅いディップに発展した。著者らの実験的観察は,HOPG表面上の電子ドープSnSe_2原子層における擬ギャップ状態の直接証拠を提供し,それは,MDCにおける2D限界での超伝導の機構のさらなる探索を刺激する可能性がある。【JST・京大機械翻訳】

, , , , , , , , , , , ,
, , 【Automatic Indexing@JST】

酸化物系超伝導体の物性

, , , ,

前のページに戻る