状態変数として酸素-空格子点濃度を持つメムリスタコンパクトモデル【JST・京大機械翻訳】

Zeumault Andre; Alam Shamiul; Faruk Md Omar; Aziz Ahmedullah

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202213847646215 整理番号：22P0286821

状態変数として酸素-空格子点濃度を持つメムリスタコンパクトモデル【JST・京大機械翻訳】

Memristor Compact Model with Oxygen-Vacancy Concentration as State Variable

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで

この文献はプレプリントです。プレプリントについてはこちらをご確認ください。

著者 (4件)： , , ,
資料名：
発行年： 2022年02月08日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年02月08日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

状態変数としての酸素空孔の濃度に基づく酸化物メムリスタのためのユニークなコンパクトモデルを示した。このモデルにおいて,酸素空孔濃度における増加(減少)は,既存のコンパクトモデルにおける状態変数として使われるトンネルギャップの減少(膨張)の影響において同様であり,印加電圧の極性に基づいて,電子電流の増加(減少)に対する機構を提供した。電子過程(すなわち,電子捕獲/発光)を原子プロセス(すなわち,Frenkel対生成/再結合,拡散)と結合させた最近の原稿の単純化から,状態変数の動力学を定義する速度方程式を得た。提案モデルの中心は,抵抗スイッチング動力学に及ぼす酸素空孔トラップの電子占有の影響である。電子電流を,オーム,バンド対バンドおよびバンド間寄与を考慮して計算した。モデルはJoule加熱と伝導損失項による均一自己加熱を含む。モデルを,異なる電極材料を有するHfO_2メモリスタのための実験的電流-電圧特性を用いて較正した。一般的モデルを提示するが,酸素空孔のデルタ形状状態密度は実験データを正確に表すことができるが,バンド遷移に束縛される最小記述を与える。このモデルをVerilog-Aに実装し,4x41T1R不揮発性メモリアレイにおける読取/書込み操作を用いて試験し,実用的関心の回路シミュレーションを実行する能力を評価した。特別な利点は,このモデルが,走査実験-証拠が支持するフィラメント形状に関する強い仮定をしないことである。【JST・京大機械翻訳】

, , , , , , , , , ,
, , , , , 【Automatic Indexing@JST】

半導体集積回路 , 酸化物薄膜

, ,

前のページに戻る