SiC上のPb挿入グラフェンの運動量顕微鏡法:界面Pbの電荷中性と電子構造【JST・京大機械翻訳】

Matta Bharti; Rosenzweig Philipp; Bolkenbaas Olaf; Kuester Kathrin; Starke Ulrich

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202213939740510 整理番号：22P0332938

SiC上のPb挿入グラフェンの運動量顕微鏡法:界面Pbの電荷中性と電子構造【JST・京大機械翻訳】

Momentum microscopy of Pb-intercalated graphene on SiC: charge neutrality and electronic structure of interfacial Pb

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発行年： 2022年04月15日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年04月15日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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インターカレーションはエピタキシャルグラフェンの電子構造を調整するための確立された技術である。さらに,それは,界面量子閉じ込めによるバルク版と比較して,独特の物理特性を有する元素の不安定な2次元(2D)層の合成を可能にする。本研究では,SiC上に均一Pb挿入準自立単層グラフェンを示し,これは,(5.5±2.5)×10 ̄9cm ̄-2の前例のないp型キャリア密度で本質的に電荷中性であると判明した。運動量顕微鏡により全表面Brillouinゾーンを通して低エネルギー電子構造をプロービングし,界面での金属2D-Pbに関連する付加的バンドを明確に識別した。低エネルギー電子回折は,グラフェンに対して10×10Moir’e超周期性を明らかにし,その対応物は利用可能なバンド構造データで直接同定できない。著者らの実験は,2D中間層閉込めと重元素超伝導体の関連するバンド構造形成を示し,グラフェン/SiC界面での強いスピン-軌道結合効果または2D超伝導への道を開いた。【JST・京大機械翻訳】

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半導体薄膜 , 半導体結晶の電子構造 , 炭素とその化合物 , 分子化合物 , 表面の電子構造

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