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J-GLOBAL ID：202202213984031484   整理番号：22A0636566

Siナノピラー上のGaAsナノワイヤ:大規模,位相工学アレイに向けて【JST・京大機械翻訳】

GaAs nanowires on Si nanopillars: towards large scale, phase-engineered arrays

著者 (13件)： Gueniat Lucas (Laboratory of Semiconductor Materials, Institute of Materials, Ecole Polytechnique, Federale de Lausanne, 1015 Lausanne, Switzerland) ,  Ghisalberti Lea ,  Wang Li ,  Dais Christian ,  Morgan Nicholas ,  Dede Didem ,  Kim Wonjong ,  Balgarkashi Akshay ,  Leran Jean-Baptiste ,  Minamisawa Renato ,  Solak Harun ,  Carter Craig ,  Fontcuberta i Morral Anna
資料名： Nanoscale Horizons  (Nanoscale Horizons)
巻： 7  号： 2  ページ： 211-219  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2469A  ISSN： 2055-6764  CODEN： NHAOAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-Vナノワイヤの蒸気-液体-固体成長のための大規模パターニングは,パターン化(45から60nm穴)に必要な特徴サイズを与える挑戦である。事実,アレイは電子ビームリソグラフィーを用いて伝統的に製造され,露光面積を拡大すると処理時間が大いに増加する。ナノワイヤアレイをウエハスケールに近づけるために,Siナノピラーアレイでパターン化されたナノスケールの穴を置換して,異なるアプローチを取り入れた。この方法は位相シフトリソグラフィーまたは深紫外(DUV)ステッパリソグラフィーのようなフォトリソグラフィー法に適合する。成長メカニズムの制御とスケーラビリティの両方に対するナノスケールの穴とは対照的にナノピラーを用いることの利点に関する明確な証拠を示した。収率を最適化するための重要なパラメータとして接触角のエンジニアリングを同定した。特に,ナノピラー酸化がGa触媒液滴を安定化し,接触角をエンジニアする鍵であることを示した。SiO_2/真空界面とは対照的に,SiO_2/Siにおける三重相線の位置が,成長の成功に中心であることを示した。この実験を表面展開器で行ったシミュレーションと比較し,強い相関を観測した。位相シフトリソグラフィーを用いた大規模アレイは67%の最大局所垂直収率と40%の大域的チップスケール収率をもたらした。半導体ファブで典型的に達成される鍵処理ステップのより大きな制御を通して,この収率を90+%に押し出すことができ,ウエハスケールでの決定論的ナノワイヤ相工学の開放展望を期待する。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相シフト ,  最適化 ,  酸化 ,  接触角 ,  半導体 ,  *ケイ素 ,  *ヒ化ガリウム ,  ウエハ【IC】 ,  *位相 ,  リソグラフィー ,  規模 ,  フォトリソグラフィー ,  パターン形成 ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： *ナノピラー ,  ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  ナノピラー ,  GaAs ,  ナノワイヤ ,  大規模 ,  位相 ,  工学 ,  アレイ