ナノスコピックシステムにおける正確な偏光推定に向けて【JST・京大機械翻訳】

Mohapatra Sambit; Weber Wolfgang; Bowen Martin; Boukari Samy; Da Costa Victor

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202214170122083 整理番号：22P0302807

ナノスコピックシステムにおける正確な偏光推定に向けて【JST・京大機械翻訳】

Toward accurate polarization estimation in nanoscopic systems

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発行年： 2022年03月11日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月11日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

強誘電体薄膜のナノスコピックキャラクタリゼーションは,それらのデバイス応用の観点から重要である。標準キャラクタリゼーション技術は,強誘電体の分極反転に起因するナノスコピック電荷補償電流(スイッチング電流)の検出に基づいている。種々の表面およびバルク制限機構により,漏れ電流は,そのような測定中に一般的に現れ,それは,ポジティブアップネガティブダウン(PUND)測定方式を採用することによって,デバイスI-V特性を用いて頻繁に減算される。一般的に使用される強誘電体,BiFeO_3に関するナノスコピックスイッチング電流測定を実施することにより,このようなキャラクタリゼーション法は,電流バックグラウンド減算問題により,フェロ抵抗試料の偏光推定において大きな誤差の傾向があることを示した。特に,フェロ抵抗挙動が強誘電体薄膜の分極反転と関連するとき,バックグラウンド電流減算は,2つの偏光状態のI-V特性の不整合のために正確でない。非対称最小二乗減算法によりバックグラウンド電流を除去する代わりに,完全ではないが,研究中の試料の強誘電特性の非常に良好な推定を与えることを示した。【JST・京大機械翻訳】

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, , 【Automatic Indexing@JST】

強誘電体,反強誘電体,強弾性

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