抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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この接合によるJosephson電流を調べるために,Corbinoディスク構造を有する超伝導体-正規グラフェン超伝導体(SGS)接合におけるDirac-Bogoliubov-De-Gennes(DBdG)方程式を解いた。臨界電流I_cは,キャリアの濃度がゼロであるDirac点で非ゼロ値を持つことを見出した。この非ゼロ臨界電流がシステム形状に依存し,Corbinoディスク(R_2/R_1)の外部から内部半径の比を増加させることによりゼロまで単調に減少し,一方,R_2/R_1→1の極限では拡散Corbinoディスクのようにスケールすることを示した。臨界電流と正常状態抵抗I_cR_Nの生成物はゼロドーピングで平面構造に対して同じ値に達する。これらの結果は,平面構造に類似したグラフェンCorbino Josephson接合の擬拡散挙動を明らかにした。【JST・京大機械翻訳】