結晶における軌道Hall効果:原子間対原子内寄与【JST・京大機械翻訳】

Pezo Armando; Ovalle Diego Garcia; Manchon Aurelien

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202214201412719 整理番号：22P0274967

結晶における軌道Hall効果:原子間対原子内寄与【JST・京大機械翻訳】

Orbital Hall effect in crystals: inter-atomic versus intra-atomic contributions

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発行年： 2022年01月15日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年06月09日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

軌道Hall効果(OHE)は,初期電荷電流に対して横方向の軌道角運動量の電荷中性流の生成を指定する。最近の理論的研究は,遷移金属が,この方向に沿った実験的探索を奨励する,大きなOHEを示すことを示唆する。それにもかかわらず,これらの理論の大部分は,軌道モーメントが原子コアを囲む領域に由来すると仮定し,いわゆる{原子中心近似}を採用する。周期的結晶では,格子間領域の寄与が重要であり,OHEの厳しい誤推定を導くことができる。OHEへの軌道磁化の「モード理論」を適用して,第一原理から選択した材料における原子内および原子間寄与の相対的重要性を評価した。OHEは,広いバンドギャップ半導体(例えばMoS_2)に対する原子内起源であるが,原子間寄与は狭いバンドギャップ半導体(SnTe,PbTe)および遷移金属(Pt,Vなど)で重要になることを見出した。これらの予測は,いくつかの以前の研究で採用された原子中心近似と軌道電流の効率的な源の実現のためのオープンな展望を無効にする。【JST・京大機械翻訳】

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分子の電子構造 , 半導体結晶の電子構造 , 金属結晶の電子構造

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