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J-GLOBAL ID：202202214230312220   整理番号：22A0909053

RFパワー応用のための高温でのAl_0.45Ga_0.55Nチャネル超広帯域HEMTにおけるElectron移動度と速度【JST・京大機械翻訳】

Electron mobility and velocity in Al_0.45Ga_0.55N-channel ultra-wide bandgap HEMTs at high temperatures for RF power applications

著者 (5件)： Ye Hansheng (Department of Electrical Engineering, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA) ,  Gaevski Mikhail (College of Engineering and Computing, University of South Carolina, Columbia, South Carolina 29208, USA) ,  Simin Grigory (College of Engineering and Computing, University of South Carolina, Columbia, South Carolina 29208, USA) ,  Khan Asif (College of Engineering and Computing, University of South Carolina, Columbia, South Carolina 29208, USA) ,  Fay Patrick (Department of Electrical Engineering, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 10  ページ： 103505-103505-6  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超ワイドバンドギャップAlGaNは,その高い臨界磁場,優れた輸送特性,および極端な環境における動作の可能性により,RF電力のための次世代高電子移動度トランジスタ(HEMT)のための有望なチャネル材料として最近注目されている。しかし,輸送特性に対する温度の影響は完全には理解されていない。ここでは,Al_0.62Ga_0.38N/Al_0.45Ga_0.55N HEMTを作製し,DCとRFで150°Cまで特性評価し,電子移動度とキャリア速度に及ぼす温度の影響を評価した。測定結果は,移動度とキャリア速度の両方が温度に中程度の依存性を示し,AlGaNチャネルHEMTが将来のRF電力応用に有望であることを示唆する。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *移動度 ,  キャリア移動度 ,  *高温 ,  臨界磁場 ,  特性 ,  温度依存性 ,  キャリア ,  *広帯域 ,  キャラクタリゼーション ,  チャネル ,  *HEMT
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  輸送特性 ,  ワイドバンドギャップ ,  窒化アルミニウムガリウム ,  高周波電力 ,  チャンネル材 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

タイトルに関連する用語 (6件)： RF ,  パワー ,  応用 ,  広帯域 ,  HEMT ,  移動度